IS43DR86400C-3DBI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43DR86400C-3DBI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TWBGA (8x10.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 333 MHz |
Grundproduktnummer | IS43DR86400 |
Zugriffszeit | 450 ps |
IS43DR86400C-3DBI-TR Einzelheiten PDF [English] | IS43DR86400C-3DBI-TR PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
ISSI BGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400B-25DBLI ISSI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400B-3DBL ISSI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400B-3DBLI ISSI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43DR86400C-3DBI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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